極小尺寸碳化矽蕭特基二極體問世
新日本無線(New Japan Radio)研製出世界極小尺寸,且具有高散熱性的650V/10A碳化矽蕭特基二極體NJDCD010A065AA3PS,並開始提供樣片。
如今,為了實現可持續發展和繁榮的社會,在能源領域十分要求效率。新日本無線為了實現這一目標正在開發新的產品群,進而推進新一代電力設備的發展。這次開始提供的樣片NJDC010A065AA3PS是使用了碳化矽材料的世界極小尺寸的蕭特基勢壘二極體,其最大額定值為650V/10A,與傳統矽的快速恢復二極體相比,可以實現低損耗和高速切換。
特點包括:
1.由於實現了世界極小尺寸和低熱阻特性,可最佳化電路板佈局和外殼尺寸;
2.有助於進一步提升應用的高效率化和降低雜訊。
NJDCD010A065AA3PS具有世界極小的尺寸、低損耗、高速開關和低雜訊的特點,有助於進一步提升各種電源電路和馬達驅動電路的高性能、高效率化、小型化和輕量化。
http://www.tw.njr.com/news/newproducts/NJDCD010A065AA3PS.html
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#電源設計 #功率半導體 #汽車電子 #碳化矽SiC #氮化鎵GaN
【SiC、GaN,汽車電氣化之左右護法】
傳統功率元件已經不能滿足電動汽車發展的需要,新材料正在助力新能源汽車突破這一瓶頸。IHS 的研究報告表明,碳化矽 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 材料正在汽車領域呈現爆發性成長態勢。如今,超過 40% 的純電動汽車採用 SiC 材料作為動力系統的關鍵元件。超過 600V 電壓的汽車驅動牽引逆變器 (inverter) 之馬達驅動應用,SiC 材料正在快速替代傳統的矽基 IGBT 元件。
驅動馬達逆變器和車載充電器中的矽基 IGBT 和二極體改用 SiC MOSFET 之後,系統結構配置更緊密、輕量化,更高的轉換效率大大降低了發熱使得散熱和冷卻系統設計變得簡單,同時新材料能夠承受更高功率密度,使得新能源汽車的從點時間大大縮短,並可配置大容量電池,有效增加續航能力。然而,目前制約 SiC 材料發展的一個主要問題就是產能緊缺……。
另一個動力源則來自 GaN 材料,600V 以下的功率市場——包括汽車、工業以及消費電子產品,將是 GaN 材料的天下。GaN 元件的開關速度是矽元件的十倍,同時工作峰值溫度更高,這些穩健強大的材料特性使它非常適合不斷發展的 100V 和 650 V區間的汽車、工業、電信和特定消費類等各種應用領域。在汽車電動化演進中,車載充電器 (On-borad Charger, OBC;大陸稱為「車載充電機」) 與 48V 直流變換器是 GaN 材料應用重點。
延伸閱讀:
《意法半導體 SiC 和 GaN 雙箭齊出,推動汽車電氣化革命》
http://compotechasia.com/a/tactic/2020/0409/44451.html
#意法半導體ST #L9908 #L9963 #L9678 #L9679 #CEA-Leti #Exagan
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